LP-MOCVD相关论文
采用低压金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长并制作了波长为1.7945微米的大应变InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)激光......
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层I......
本文采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs 衬底上生长了电子浓度达6×1019cm-3 的重掺Te GaAs 外延薄膜,该样品的......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InA......
本文采用低压MOCVD技术,以HS,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0......
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮......
根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 ,可应用于InGaAlP双......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为V族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底......
用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)方法在蓝宝石(A1203)衬底上生长GaN外延膜，用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析该外延膜的晶格......
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有......
使用 CO2 、O2 氧源得到了 Zn O择优取向薄膜样品 ,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积 (L......
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退......
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另......
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种......
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰ ＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中......
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe......
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长......
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致......
利用低压金属有机化学气相沉积（LP-M0cVD）技术，在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的si（111）衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射（XRD）、......
通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层......
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0......
本文报道了低压（ＬＰ）－ＭＯＣＶＤ方法制备Ｃｄｓ－ＺｎＳ应多量子阱结构。通过Ｘ－射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构，并通过７７Ｋ下的光致发光光谱，观测到了......
首先从理论上研究了在应变情况下量阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利......
在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究......
报道了利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术，通过Ⅴ／Ⅲ比，总载气流量和生长温度等生长条件的研究，在ＩｎＰ衬底上长出了制作器件所要求的ＩｎＧａＡｓ材料，用转靶Ｘ射线衍射仪和光致发光......
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体......
报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０ｕｍ和１．３ｕｍ ＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子阱结......
本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理－生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并......
本文报导以国产三甲基铟（TMIn）和进口的磷烷（PH<sub>3</sub>）为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积（LP-MOCVD）方法,在InP衬底上生长......
报道利用低压金属有机化学气相沉积技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＡｓ自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为１６０３ｎｍ，分......
利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ＿ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生物过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响，并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位，探讨在ＩｎＰ材料中......
本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况，分析了生长室内压力和基座转速对于流场......
本文采用自制的LP-MOCVD设备，外延生长出CaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池结构片，对电池材料进行了X射线衍射测试分析。另外，采用二次离子......
利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰ ＤＨ结构橙黄色发光二极管。引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平......
研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍ ＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料，为器件......
采用LP－MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱（MQW）的选择区域生长（SAG），通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围......
使用SiC作为过渡层，采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题，在Si基片上外延出高......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上......
采用涡轮LP-MOCVD外延技术,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长20对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管(LED).外延片......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
设计并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长了ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ分别限制单量子阱结构，采用无铝的ＩｎＧａＰ做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试１０支条宽１００μｍ，腔长１ｍｍ的激光器样品，连续输出功率超过１Ｗ，阈......
